Константин Мусатов

Сэкономьте треть бюджета без потери качества, https://doctorhead.ru/product/musatoff_ha_5/

угу, может это важнее, чем малая емкость перехода одного мощного транзистора? Только вот элементы разные. Что одному 1 Вт много, то другому 10 Вт - плевое дело

Series - резисторы, включаемые последовательно с сигналом. Наиболее критичное положение в схеме с точки зрения звука. Shunt - резисторы, включаемые с сигнала на землю. По сути, они вычитают свои недостатки из сигнала.

Перечитал ваш вопрос несколько раз, но так и не понял его сути.

Схемы - схемам розни. Однако, простые схемы часто берут не точностью, а окраской, неким эффектным оборотом в звуке. А может эффект процессор лучше поставить как VST плагин и включать и выключать по мере надобности?

Он чуток лучше, чем перед ним. Однако смотрите, использованы 4 транзистора 2SC3421 в корпусе TO126 с емкостью коллектора 15 пФ. У Тошибы есть другой транзистор 2SC5171 в корпусе ТО220, который заменит 4 этих и имеет емкость коллектора 16 пФ, т.е. примерно как один из использованных. А еще использование интегратора. Уж коли нельзя без интегратора, то надо ставить интегратор разностного сигнала, а не абсолютного, он не портит звук.

Конечно должно быть на активном. Вычитание - это получение разностного сигнала. В инвертирующем усилителе вычитание производится относительно земли. То что вы суммировали токи оос в инвертирующем усилителе, еще не означает, что устранили ошибку вычитания. И конечно все элементы цепи оос находятся не под действием оос и их недостатки не компенсируются оос.

Вы меняете параметры цепи ООС и удивляетесь, что меняется АФЧХ? Как раз наоборот, если вы что-то поменяете в усилительном элементе, находящемся внутри петли ООС, то влияние на АФЧХ усилителя, охваченного ООС будет минимально. Так что изменение АФЧХ еще раз подтверждает, что эти цепи находятся не в петле ООС, они сами создают ООС, а, значит, не подвержены ее компенсирующим действиям. Ваша картинка с транзиент анализом неких импульсов вообще непонятно о чем.

Инвертирующая схема включения отличается только тем, что в ней не действует синфазный сигнал. Однако, сравнение, т.е. вычитание сигналов она производит точно так же. В не инвертирующей схеме Vos = Vnoninv - Vinv = Vin - Vfb В инвертирующей схеме Vos = 0 - (Vin + Vfb) Однако, Vos - сигнал после вычитателя, как был в дифкаскаде ОУ, так и остался. Я же писал про внесение нелинейности. Поставьте последовательно с резисторами в вашей схеме два параллельных встречных диода и увидите, что размер нелинейности на выходе не будет зависеть от коэффициента усиления ОУ, что и говорит о том, что это элементы находятся вне петли ООС. Ну это всегда было, что элементы цепи ООС находятся вне ее и их качество очень сильно влияет на результат.

Нет, емкости находятся вне цепи ООС. Точка вычитания сигналов цепи ООС находится внутри микросхемы. Все остальные элементы находятся вне цепи ООС. Для примера, можно любой их них сделать нелинейным и увидеть, что ООС эту нелинейность не скомпенсирует.

Компенсация через усреднение нелинейностей от С2 и С3? И зачем взята микросхема усилителя на 20 Вт с весьма большим уровнем собственной нелинейности?

Извините, я не слежу на Веге за всеми ветками. Модель скидывать не надо, лучше результаты измерений приведите.Компенсатор, как я понимаю, с дополнительными проводами от капсюлей?

Да неужели? А можно в цифрах? А зачем на входе конденсатор, приходится часто работать с источниками с постоянкой на выходе? Про компенсатор мне сложно что-то сказать, поскольку комментария по его идее нет, а вход ОУ опирается на землю, которая в симмуляторе идеальная.

Так а не проще сразу взять интегральный параллельник, а ля BUF634?

Максим. Вот смотрите. В зеркале один транзистор (переход) слева и два справа. Т.е. зеркало не сбалансировано. Это раз. Во вторых, когда есть нагрузка, теплорассеяние и температура кристалла выходных транзисторов быстро изменяется под сигналом. Температура же кристалла зеркала находится за двумя корпусами, т.е. постоянная времени тепловой передачи измеряется десятками секунд. Да, общая ООС убирает большую часть артефактов этого дела. Однако, характер таких искажений, как показывает практика, все же сохраняется в звучании усилителя.

Максим, такая схема имеет один неприятный недостаток - температурные плавания рабочей точки. Причем не только от внешней температуры, но и под сигналом. Вы можете внести температуру кристалла выходного транзистора как параметр и посмотреть как будет меняться режим по постоянному току этой схемы. Это приводит к появлению искажений нестационарного сигнала. На стационарном синусе эту проблему не заметить.

Первые не Тошибовские, а вроде Саниовские были, сейчас On-Semi. Это транзисторы для быстрой коммутации и для аалоговых применений не позиционируются. У них рано начинает падать бета от тока. Да и корпуса неудобные для теплорассеяния. Вторые то же Саниовские, больше не выпускаются. Хорошо работают до 1А в качестве драйверных для последующих выходников. Да, не все. Однако, реально очень много. Транзисторы разработки 70-х, начала 80-х годов, СЧ и НЧ транзисторы построены по такой технологии, как вы привели ссылку (а это многие еще применяемые транзисторы). При переходе в ВЧ и для быстрых переключений перешли к технологии, когда транзисторные ячейки можно физически локализовать на кристалле. С СЧ/НЧ транзисторами ситуация схожая. Я бы предпочел единичный транзистор в большем корпусе.

Этот СВЧ транзистор, можно считать гибридной сборкой. А транзисторы просто на кристалле разделены на участки, при этом выводов внутри толпу не делают. Все их соединяет металлизация. Только низкочастотные транзисторы можно изготовить целиком. У ВЧ транзисторов маленький размер области перехода, иначе он быстро не переключится. Однако рассеять много тепла в маленькой зоне не получится - перегреется. Потому их и соединяют по много на кристалле.

Если хватит 4А, то можно попробовать MJE15030/15031 Если хочется корпус побольше, то 2SA1803/2SC4688

Обе схемы с параллельными транзисторами вызывают неприятные ассоциации. Даже не беря в расчет неудачную архитектуру, я пробовал посчитать эквиваленты одиночных транзисторов при запараллеливании. Всегда толпа более слабых оказывалась хуже одного более сильного. Не секрет, что все современные транзисторы по сути состоят из толпы параллельных структур на кристалле. Однако, эти структуры заранее рассчитывали на параллельную работу и их параметры оптимальны. При самостийном параллельном включении, транзисторы не оптимальны под такое применение и результат оказывается хуже. Только при создании масластых усилителей мощности параллелить приходится, поскольку нет альтернативы.

Это больше расхожее мнение, чем правда жизни. Главная муть живет в электро-акустическом преобразовании.

Ничего не имея против безООСной концепции, чувствую подвох в первичном вопросе. Подвох в чужих ушах на своей голове. Лучше всего приехать в магазин и попросить последовательно поставить одну любимую музыку через разные усилители одной ценовой группы не ставя такого условия. А выводы делать по результатам.

Тут я вам могу предложить собрать схему как есть и только с одним ОУ без сверхглубокой ООС, но на одних и тех же комплектующих. и схожей топологией. У слуха есть вполне конкретная предельная чувствительность к искажениям. Схема понятно что интересная и нужная, например в измерительном приборе. А вот термодинамические искажения слух ловит хорошо, и за ними следить надо в оба.

Все эти -160 дБ и далее не имеют никакого физического смысла, одно упражнение для ума. Суть в том, что одна топология платы, сопротивление дорожек, межпроводниковые наводки, в том числе токовые, сводят на нет теоретические изыскания на тему сверхглубокой ООС. А вот работа с нестационраным сигналом определяется как всегда тем элементом схемы, где производится сравнение, т.е. на самой внешней ООС (если внутри косяков нет). И характер звучания, определяемый термодинамическими параметрами, сохраняется вне зависимости от глубины ООС, если уровень искажений ниже 0,01% и нет широкого спектра.

Если бы схема была плохой, я так бы и написал. Схема имеет потенциал. Потому то и встает вопрос со свитой. Голого короля никакая свита не спасет