Константин Мусатов

Компенсация через усреднение нелинейностей от С2 и С3? И зачем взята микросхема усилителя на 20 Вт с весьма большим уровнем собственной нелинейности?

Извините, я не слежу на Веге за всеми ветками. Модель скидывать не надо, лучше результаты измерений приведите.Компенсатор, как я понимаю, с дополнительными проводами от капсюлей?

Да неужели? А можно в цифрах? А зачем на входе конденсатор, приходится часто работать с источниками с постоянкой на выходе? Про компенсатор мне сложно что-то сказать, поскольку комментария по его идее нет, а вход ОУ опирается на землю, которая в симмуляторе идеальная.

Так а не проще сразу взять интегральный параллельник, а ля BUF634?

Максим. Вот смотрите. В зеркале один транзистор (переход) слева и два справа. Т.е. зеркало не сбалансировано. Это раз. Во вторых, когда есть нагрузка, теплорассеяние и температура кристалла выходных транзисторов быстро изменяется под сигналом. Температура же кристалла зеркала находится за двумя корпусами, т.е. постоянная времени тепловой передачи измеряется десятками секунд. Да, общая ООС убирает большую часть артефактов этого дела. Однако, характер таких искажений, как показывает практика, все же сохраняется в звучании усилителя.

Максим, такая схема имеет один неприятный недостаток - температурные плавания рабочей точки. Причем не только от внешней температуры, но и под сигналом. Вы можете внести температуру кристалла выходного транзистора как параметр и посмотреть как будет меняться режим по постоянному току этой схемы. Это приводит к появлению искажений нестационарного сигнала. На стационарном синусе эту проблему не заметить.

Первые не Тошибовские, а вроде Саниовские были, сейчас On-Semi. Это транзисторы для быстрой коммутации и для аалоговых применений не позиционируются. У них рано начинает падать бета от тока. Да и корпуса неудобные для теплорассеяния. Вторые то же Саниовские, больше не выпускаются. Хорошо работают до 1А в качестве драйверных для последующих выходников. Да, не все. Однако, реально очень много. Транзисторы разработки 70-х, начала 80-х годов, СЧ и НЧ транзисторы построены по такой технологии, как вы привели ссылку (а это многие еще применяемые транзисторы). При переходе в ВЧ и для быстрых переключений перешли к технологии, когда транзисторные ячейки можно физически локализовать на кристалле. С СЧ/НЧ транзисторами ситуация схожая. Я бы предпочел единичный транзистор в большем корпусе.

Этот СВЧ транзистор, можно считать гибридной сборкой. А транзисторы просто на кристалле разделены на участки, при этом выводов внутри толпу не делают. Все их соединяет металлизация. Только низкочастотные транзисторы можно изготовить целиком. У ВЧ транзисторов маленький размер области перехода, иначе он быстро не переключится. Однако рассеять много тепла в маленькой зоне не получится - перегреется. Потому их и соединяют по много на кристалле.

Если хватит 4А, то можно попробовать MJE15030/15031 Если хочется корпус побольше, то 2SA1803/2SC4688

Обе схемы с параллельными транзисторами вызывают неприятные ассоциации. Даже не беря в расчет неудачную архитектуру, я пробовал посчитать эквиваленты одиночных транзисторов при запараллеливании. Всегда толпа более слабых оказывалась хуже одного более сильного. Не секрет, что все современные транзисторы по сути состоят из толпы параллельных структур на кристалле. Однако, эти структуры заранее рассчитывали на параллельную работу и их параметры оптимальны. При самостийном параллельном включении, транзисторы не оптимальны под такое применение и результат оказывается хуже. Только при создании масластых усилителей мощности параллелить приходится, поскольку нет альтернативы.

Это больше расхожее мнение, чем правда жизни. Главная муть живет в электро-акустическом преобразовании.

Ничего не имея против безООСной концепции, чувствую подвох в первичном вопросе. Подвох в чужих ушах на своей голове. Лучше всего приехать в магазин и попросить последовательно поставить одну любимую музыку через разные усилители одной ценовой группы не ставя такого условия. А выводы делать по результатам.

Тут я вам могу предложить собрать схему как есть и только с одним ОУ без сверхглубокой ООС, но на одних и тех же комплектующих. и схожей топологией. У слуха есть вполне конкретная предельная чувствительность к искажениям. Схема понятно что интересная и нужная, например в измерительном приборе. А вот термодинамические искажения слух ловит хорошо, и за ними следить надо в оба.

Все эти -160 дБ и далее не имеют никакого физического смысла, одно упражнение для ума. Суть в том, что одна топология платы, сопротивление дорожек, межпроводниковые наводки, в том числе токовые, сводят на нет теоретические изыскания на тему сверхглубокой ООС. А вот работа с нестационраным сигналом определяется как всегда тем элементом схемы, где производится сравнение, т.е. на самой внешней ООС (если внутри косяков нет). И характер звучания, определяемый термодинамическими параметрами, сохраняется вне зависимости от глубины ООС, если уровень искажений ниже 0,01% и нет широкого спектра.

Если бы схема была плохой, я так бы и написал. Схема имеет потенциал. Потому то и встает вопрос со свитой. Голого короля никакая свита не спасет

Короля делает свита. Звук такого усилителя будет зависеть от реализации питания, от трансформатора до стабилизаторов, от разводки, от компоновки, от выбранных типов пассивных комплектующих....

Обозначение на трансформаторе мне не знакомое. По цвету экрана сделать заключение я не возьмусь. Если есть описание этого трансформатора, то лучше показывать его, а, так же, говорить чем его раскачивать собираетесь.

Первый вопрос я не понял, особенно с приложении к последующему тексту. По вопросу питания есть несколько эффектов разной направленности. Если посмотреть ВАХи транзисторов, то в области небольших напряжений они начинают заваливаться. При работе в этой области ухудшается передача. По разным моделям транзисторов это остаточное напряжение может быть от 1 до 5 В. Можно повысить напряжение питания, что бы не попадать в эту зону, можно взять другой транзистор, например германиевый, у которого меньше это напряжение. С другой стороны, чем выше напряжение питания, тем больше окажется девиация мощности рассеяния на транзисторе при фиксированной токовой отдаче. Девиация приводит к появлению характерных транзисторных тепловых искажений. Они минимальны у латеральных мосфетов, однако к них максимальные остаточные напряжения, достигающие 10-15 В. Балансом между этими эффектами можно изменять характер звучания усилителя изменяя напряжение питания.

Если усилитель (тот что в классе А) спокойно относится к отсутствию нагрузки, что можно выяснить у автора, то его легко можно использовать в качестве усилителя для высокоомных ушей.

Обратите внимание на новый усилитель http://doctorhead.ru/product/musatoff_ha_5/ Здесь есть тема по нему. Сложно будет найти альтернативу

Сравнивать регуляторы можно только при равных номиналах. Лестничный регулятор (А ля Никитин) в абсолютном большинстве случаев вполне оправдан и закрывает потребности. DACT неоправданно дорог, хотя и не имеет явного преимущества, кроме морального ощущения, что он дискретный. Но и в 90 процентах усилителей ограничивает качество схема и конструкция, а не RK27 или даже RK16 или 19.

Не очень понятно, почему она должна убрать коробление и перекосы, а не создать новые? К тому же, такая заморозка может изменить температуру примерно на 100-150 градусов. Прогрев же лампы естественным путем при работе, создает тепловые напряжения до 500-600 градусов.

"Даже" поскольку в кабелях есть мягкие диэлектрики, которые могут изменять физические свойства при экстремальных температурах. В лампах используют стекло, керамику и слюду - все они индифферентны к температуре. Лампы я вообще рассматриваю как эффект процессоры - заменяемые модули, как перезагружаемые модули к программе обработке звука. Я не против них, но это дело мне надоедает. Потому у меня, если и приживаются лампы, то самые нейтральные. Например как гибридник с 6Ж43П.

Криообработка - очень спорное действие. Даже по кабелям результаты находятся на грани, что означает, что влияние психологических факторов может быть больше, чем физических. Термообработка кабелей позволяет сократить время т.н. прогрева, т.е. время успокоения кристаллической структуры после изготовления и пайки. На счет повышения ресурса... не видно физического обоснования, гораздо больше повышает ресурс предварительное жестчение, т.е. перед первым рабочим включением долгое держание под накалом, а потом анодным без тока. Это позволяет предварительно активировать геттер и снять ионные "сливки", тогда они не попортят катода при токовой отдаче.

Ой, ма, почитал по ссылке про гравитационную природу силы Ампера. Ну, не знаю. То, что с разными теориями проводимости я сталкивался в последнее время - это да. Это еще одна. Все бы ничего, но меня смущают некоторые моменты по гравитонам: я не слышал что бы кто-то научился ловить отдельные гравитоны. Вообще гравитационные волны физики только пыжатся словить, а тут отдельные кванты гравитационного поля рассматривают: Т.е. автор в эксперименте наблюдает выхода гравитонов из проводника. Может я отстал или автор блефует....