А транзисторы просто на кристалле разделены на участки, при этом выводов внутри толпу не делают. Все их соединяет металлизация. Только низкочастотные транзисторы можно изготовить целиком. У ВЧ транзисторов маленький размер области перехода, иначе он быстро не переключится. Однако рассеять много тепла в маленькой зоне не получится - перегреется. Потому их и соединяют по много на кристалле.

 

" Современные биполярные транзисторы изготавливаются на основе монокристаллического кремния по диффузионной технологии с использованием планарного процесса. Базовая ячейка транзистора n-p-n типа представлена на рис.

Такую структуру имеет большинство современных типов силовых биполярных транзисторов. Для p-n-p транзисторов будут справедливы практически все выводы, полученные при анализе процессов в рассматриваемой базовой ячейке. Для создания структуры ячейки в качестве исходного материала или подложки используется низкоомный n+-слой, на обратной стороне которого создается омический контакт коллектора. На подложке эпитаксиально выращивается высокоомный коллекторный n--слой, в котором методом диффузии формируется слой p-базы. Таким образом, в структуре образуется асимметричный коллекторный p-n- переход. Далее на поверхности p-базы проводят планарный процесс. Он заключается в создании пленки диоксида кремния и проведении через специально вытравленные окна имплантации донорной примеси для формирования эмиттерных n+-областей. После этого на верхней поверхности кристалла создают металлизированные слои для выводов базы и эмиттера, разделенные изолирующими участками диоксида кремния. Таким образом создается вертикальная структура силового биполярного транзистора."

 

т.е. это не "толпа транзисторов", а особенности эпитаксиально-планарной технологии

 

 

Каждый кристалл IGBT биполярного транзистора представляет собой параллельное соединение огромного количества отдельных транзисторных IGBT структур (ячеек). Плотность размещения отдельных ячеек добивается нескольких сотен тыс на 1 квадратный сантиметр. Устойчивая совместная работа настолько огромного количества простых IGBT структур обеспечивается за счет положительного температурного коэффициента сопротивления и вытекающего из этого факта самовыравнивания по току, что и является основой сотворения IGBT полупроводниковых устройств на огромные токи.

http://regulyator.com/?p=1123

У ВЧ транзисторов маленький размер области перехода, иначе он быстро не переключится. Однако рассеять много тепла в маленькой зоне не получится - перегреется. Потому их и соединяют по много на кристалле.

"В СВЧ диапазоне используются также многоструктурные транзисторы, которые состоят из нескольких многоэмиттерных транзисторов, размещенных на одной полупроводниковой пластине и объединены в единую систему. Отдельные элементы такой структуры размещены достаточно далеко один от другого, так что их тепловые потоки не перекрываются и рассеиваемая мощность возрастает.

В конструкциях корпусов мощных СВЧ-транзисторов предусматривают не только малое тепловое сопротивление, эффективный теплоотвод, но и малые индуктивности выводов, а также малые емкости между выводами и корпусом. 13 случае необходимости корпусу СВЧ-транзистора придают форму, удобную для установки в волноводные тракты.

http://mirznanii.com...tranzistorov-bt

 

"

все современные транзисторы по сути состоят из толпы параллельных структур на кристалле

1.не все

2.УНЧ японца с параллельным включением маломощных НЧ-СЧ транзисторов возможно неплох, кроме того маломощные легче подобрать в пары по параметрам - они дешевле

Изменено 22 февраля, 201610 г пользователем Victor

Опять споры. вот обсирайте сколько дцше угодно, упрощенный композит

@Константин Мусатов, Частота ну них все же не очень. тошибовские 2SB1203/2SD1803 180мгц 40-60пф емкость переходов поинтереснее

еще А1469/С3746 . пятиамперные, частота 100мгц

Первые не Тошибовские, а вроде Саниовские были, сейчас On-Semi. Это транзисторы для быстрой коммутации и для аалоговых применений не позиционируются. У них рано начинает падать бета от тока. Да и корпуса неудобные для теплорассеяния.

Вторые то же Саниовские, больше не выпускаются. Хорошо работают до 1А в качестве драйверных для последующих выходников.

 

 

1.не все

2.УНЧ японца с параллельным включением маломощных НЧ-СЧ транзисторов возможно неплох, кроме того маломощные легче подобрать в пары по параметрам - они дешевле

 

Да, не все. Однако, реально очень много. Транзисторы разработки 70-х, начала 80-х годов, СЧ и НЧ транзисторы построены по такой технологии, как вы привели ссылку (а это многие еще применяемые транзисторы). При переходе в ВЧ и для быстрых переключений перешли к технологии, когда транзисторные ячейки можно физически локализовать на кристалле.

С СЧ/НЧ транзисторами ситуация схожая. Я бы предпочел единичный транзистор в большем корпусе.

Максим, такая схема имеет один неприятный недостаток - температурные плавания рабочей точки. Причем не только от внешней температуры, но и под сигналом. Вы можете внести температуру кристалла выходного транзистора как параметр и посмотреть как будет меняться режим по постоянному току этой схемы. Это приводит к появлению искажений нестационарного сигнала. На стационарном синусе эту проблему не заметить.

Обратите внимание на зеркала и рассасывающий заряд конденсатор С9 ! Без них согласен с выше сказанным , с ними иное дело.. Да и стабильность тока покоя выше при расположении всех на общем радиатора!

Р.С. саньевские есть в продаже , при работе двух трёх пар вполне линейных, все лучше запараллели вания больших (четырех- шести пар а1837/с4793 ) количеств менее мощных транзисторов .ну нет мощных доступных транзисторов со сравнимыми емкостями переходов.

Константин обратите на характер двух компонент ной осс и на третий операционный усилитель!

Офоф можно и отказаться от зеркал в пользу своего оригинального параллельника с роковым шунтом Алисона/Акулиничева!

Изменено 23 февраля, 201610 г пользователем Максим_В.

Максим.

Вот смотрите. В зеркале один транзистор (переход) слева и два справа. Т.е. зеркало не сбалансировано. Это раз.

Во вторых, когда есть нагрузка, теплорассеяние и температура кристалла выходных транзисторов быстро изменяется под сигналом. Температура же кристалла зеркала находится за двумя корпусами, т.е. постоянная времени тепловой передачи измеряется десятками секунд.

Да, общая ООС убирает большую часть артефактов этого дела. Однако, характер таких искажений, как показывает практика, все же сохраняется в звучании усилителя.

Да знаю я это! Но ток покоя выбран малым 16ма ,отсечка коммуна ационные искажения снижены С9.

Я ведь спецом сразу написал. Упрощенный! В полной версии параллельник с током покоя 100ма

Так а не проще сразу взять интегральный параллельник, а ля BUF634?

Ну не проще. Мой буфер линейные на порядок.

 

А по линеаризсции входного конденсатора что скажем? И по компенсатора акустического кабеля наушников ,точнее по его встройке в Инвертирущий усилитель ?

 

Блин редактор на планшета глючит!

Мой буфер линейные на порядок.

Да неужели? А можно в цифрах?

 

А зачем на входе конденсатор, приходится часто работать с источниками с постоянкой на выходе?

Про компенсатор мне сложно что-то сказать, поскольку комментария по его идее нет, а вход ОУ опирается на землю, которая в симмуляторе идеальная.

А вы разве с ним , моим буфером не знакомы? Видели же на веге . Утром могу модель скинуть.

По компенсатора.я же не модель показал а схему ! Стандартная ведь суховская!

По конденсатору ,разве вероятность источника с нулевым потенциалом стопроцентная ? Нет . Обычная страховка! Да и меньший номинал ёмкости дешевле и доступнее !

Извините, я не слежу на Веге за всеми ветками. Модель скидывать не надо, лучше результаты измерений приведите.Компенсатор, как я понимаю, с дополнительными проводами от капсюлей?

Может кому пригодится. Закрытый вход с компенсацией нелинейности входного конденсатора

Компенсация через усреднение нелинейностей от С2 и С3?

И зачем взята микросхема усилителя на 20 Вт с весьма большим уровнем собственной нелинейности?

Вообще то ёмкости внутри петли оос. При 15 вольтовом питании на 50-100 Ом нагрузки ? Да впрочем я же не телефонник предложил , а улучшенный закрытый вход !

Напряжение сигнала на входном конденсатореконденсаторе не более 8-80мв

Изменено 16 марта, 201610 г пользователем Максим_В.

Нет, емкости находятся вне цепи ООС. Точка вычитания сигналов цепи ООС находится внутри микросхемы. Все остальные элементы находятся вне цепи ООС. Для примера, можно любой их них сделать нелинейным и увидеть, что ООС эту нелинейность не скомпенсирует.

Да разве? В инверте? Нет!Вы не правы!

Изменено 17 марта, 201610 г пользователем Максим_В.

Инвертирующая схема включения отличается только тем, что в ней не действует синфазный сигнал. Однако, сравнение, т.е. вычитание сигналов она производит точно так же.

В не инвертирующей схеме Vos = Vnoninv - Vinv = Vin - Vfb

В инвертирующей схеме Vos = 0 - (Vin + Vfb)

Однако, Vos - сигнал после вычитателя, как был в дифкаскаде ОУ, так и остался.

Я же писал про внесение нелинейности. Поставьте последовательно с резисторами в вашей схеме два параллельных встречных диода и увидите, что размер нелинейности на выходе не будет зависеть от коэффициента усиления ОУ, что и говорит о том, что это элементы находятся вне петли ООС. Ну это всегда было, что элементы цепи ООС находятся вне ее и их качество очень сильно влияет на результат.

Если бы на самом деле было так , то АФЧХ суммарная не менялась ! На деле же не так!

Сейчас отойду после ночной смены ,скину графики !

Изменено 17 марта, 201610 г пользователем Максим_В.

Вобщем вот точки суммирования оос по переменке и постоянке. Введение встречнопараллельно включенных диодов в параллель на линейность не сказалось

Если бы на самом деле было так , то АФЧХ суммарная не менялась ! На деле же не так!

Вы меняете параметры цепи ООС и удивляетесь, что меняется АФЧХ? Как раз наоборот, если вы что-то поменяете в усилительном элементе, находящемся внутри петли ООС, то влияние на АФЧХ усилителя, охваченного ООС будет минимально. Так что изменение АФЧХ еще раз подтверждает, что эти цепи находятся не в петле ООС, они сами создают ООС, а, значит, не подвержены ее компенсирующим действиям.

 

Ваша картинка с транзиент анализом неких импульсов вообще непонятно о чем.

Константин . я не понимаю в чем предмет спора. Разве вычитание сигнала ошибки должно быть только на активном элементе?

По графику ! Это точки суммирования по постоянному току и по переменному току

 

 

Константин . я не понимаю в чем предмет спора. Разве вычитание сигнала ошибки должно быть только на активном элементе?

По графику ! Это точки суммирования по постоянному току и по переменному току

 

 

Константин . я не понимаю в чем предмет спора. Разве вычитание сигнала ошибки должно быть только на активном элементе?

По графику ! Это точки суммирования по постоянному току и по переменному току

 

Константин . я не понимаю в чем предмет спора. Разве вычитание сигнала ошибки должно быть только на активном элементе?

По графику ! Это точки суммирования по постоянному току и по переменному току

 

Конечно должно быть на активном. Вычитание - это получение разностного сигнала. В инвертирующем усилителе вычитание производится относительно земли. То что вы суммировали токи оос в инвертирующем усилителе, еще не означает, что устранили ошибку вычитания. И конечно все элементы цепи оос находятся не под действием оос и их недостатки не компенсируются оос.